IRFBA22N50APBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFBA22N50APBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 13.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	24A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	115nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3400pF @ 25V
Power - Max	340W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	Super-220™
Корпус	SUPER-220™ (TO-273AA)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFBA22N50APBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFBA22N50APBF datasheet
170 Кб