Версия для печати
Технические характеристики IRFP250

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	140nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2970pF @ 25V
Power - Max	190W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247AD
Корпус	TO-247AD
Серия	PowerMESH™

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAI/QTC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W		2 660	27.75
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	Fairchild Semiconductor
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS	240	159.57
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS-FAIR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC1
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	КИТАЙ
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ON SEMI/FAIRCH
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONSEMICONDUCTOR
		IR2113S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2113S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR2113S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A	4-7 НЕДЕЛЬ	56
		IR2113S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A			148.88
		IR2113S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A	ТАИЛАНД
		IR2113S		Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A	INFINEON
		LA4460N		Усилитель низкой частоты 12W BTL (13.2V/4 Ом)	SANYO	8	219.24
		LA4460N		Усилитель низкой частоты 12W BTL (13.2V/4 Ом)		3	173.90
		LA4460N		Усилитель низкой частоты 12W BTL (13.2V/4 Ом)	4-7 НЕДЕЛЬ	101
		LA4460N		Усилитель низкой частоты 12W BTL (13.2V/4 Ом)	СИНГАПУР
		TL494IN		Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C).	TEXAS INSTRUMENTS	32	55.88
		TL494IN		Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C).		1	126.00
		TL494IN		Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C).	TEXAS	3 606	49.30
		TL494IN		Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C).	ON Semiconductor
		TL494IN		Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C).	TEXAS INSTR
		TL494IN		Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C).	МАЛАЙЗИЯ
		TL494IN		Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C).	TEXAS INSTRUMEN
		TL494IN		Полный ШИМ-контроллер (Uсс=7-40V, Fosc=1-300kHz, -40 to +85C).	4-7 НЕДЕЛЬ	752
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...		2 100	37.00
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	КРЕМНИЙ	628	49.14
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	МИНСК
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	БРЯНСК	810	94.50
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	УЛЬЯНОВСК	92	21.00
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"