STW21NM60N


N-channel 600 v - 0.17 ? - 17 a to-247 second generation mdmesh™ power mosfet

Купить STW21NM60N ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STW21NM60N
Версия для печати

Технические характеристики STW21NM60N

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияMDmesh™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs220 mOhm @ 8.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C17A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs66nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1900pF @ 50V
Power - Max140W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-247-3
КорпусTO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW21NM60N (MOSFET)

N-channel 600 V - 0.17 ? - 17 A TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STW21NM60N datasheet
561.1 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход