IRF634

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF634		65.00
IRF634 (ВЗПП)	80	45.90

Версия для печати

Технические характеристики IRF634

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 5.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	770pF @ 25V
Power - Max	74W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB
Серия	MESH OVERLAY™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF634 (Мощные полевые МОП транзисторы)

N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220 / TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET

Также в этом файле: IRF634FP

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

IRF634 datasheet
335.4Kb
9стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BUL89		ST MICROELECTRONICS
BUL89		STMicroelectronics
BUL89
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		12 153	39.38
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	12 889	44.00
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	496	108.24
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ
М2003-М1 0-100МКА КЛ.2,5
М4204(50-0-50МКА)-1.5КЛ
М4204-0-50 МКА