STI30NM60N


N-channel 600 v, 0.1 ?, 25 a, mdmesh™ ii power mosfet i2pak

Купить STI30NM60N ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
STI30NM60N
Версия для печати

Технические характеристики STI30NM60N

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияMDmesh™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs130 mOhm @ 12.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C25A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs91nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2700pF @ 50V
Power - Max190W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
КорпусI2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STI30NM60N (MOSFET)

N-channel 600 V, 0.1 ?, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET I2PAK

Производитель:
STMicroelectronics

STI30NM60N datasheet
766.8 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход