MOSFET N-CH 500V 10A 2-16C1B |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 5A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 10V |
Power - Max | 125W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | 2-16C1B (TO-247 N) |
Корпус | TO-3P(N) |
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
120МКФ450В(22X40) | ||||||||
120МКФ450В(22X40) | SAMWHA | |||||||
2200МКФ 10В (10X21) 105°C | Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 10В | CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS | ||||||
2200МКФ 10В (10X21) 105°C | Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 10В | 36.00 | ||||||
D5SB60 | SHIN | |||||||
D5SB60 | ||||||||
ЧИП4.7МКФ50В(4Х5.4) | ||||||||
ЧИП4.7МКФ50В(4Х5.4) | JAMICON | 266 | 20.40 |
|