BSP171PE6327

Версия для печати

Технические характеристики BSP171PE6327

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	SIPMOS®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 1.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 460µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	460pF @ 25V
Power - Max	1.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	PG-SOT223-4

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK3562	Транзистор полевой MOSFET, N-канал, 600В, 6A, 40 Bт	TOSHIBA
2SK3562	Транзистор полевой MOSFET, N-канал, 600В, 6A, 40 Bт			151.84
2SK3562	Транзистор полевой MOSFET, N-канал, 600В, 6A, 40 Bт	TOS
2SK3562	Транзистор полевой MOSFET, N-канал, 600В, 6A, 40 Bт	ГЕРМАНИЯ
BSP318S	N-канальный полевой транзистор (Vds=60V, Id=2.6A@T=25C, Rds=0,9 Ohm (typ), P=1,8W, -55 ...	INFINEON
BSP318S	N-канальный полевой транзистор (Vds=60V, Id=2.6A@T=25C, Rds=0,9 Ohm (typ), P=1,8W, -55 ...
BSP318S	N-канальный полевой транзистор (Vds=60V, Id=2.6A@T=25C, Rds=0,9 Ohm (typ), P=1,8W, -55 ...	EVVO	1 583	8.42
KA555D		FAIR
KA555D		FAIRCHILD
KA555D		FAIRCHILD
KA555D		Fairchild Semiconductor
SPP80N06S2-07		INFINEON
SPP80N06S2-07				160.00
SPP80N06S2-07		Infineon Technologies
TS393IDT		ST MICROELECTRONICS	5 200	35.07
TS393IDT		SGS
TS393IDT
TS393IDT		SGS THOMSON
TS393IDT		ST MICROELECTRONICS SEMI
TS393IDT		STMicroelectronics