BSP170PE6327T


Купить BSP170PE6327T ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BSP170PE6327T MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Версия для печати

Технические характеристики BSP170PE6327T

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияSIPMOS®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs300 mOhm @ 1.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds410pF @ 25V
Power - Max1.8W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-261-4, TO-261AA
КорпусPG-SOT223-4
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


BSP170PE6327T datasheet

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    BZT52C16-7     DIODES Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BZT52C16-7     DIODES INC. 1 064 цена радиодетали
    BZT52C16-7     Diodes Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MMBT5087     FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MMBT5087     FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MMBT5087     FAIRCHILD 1 284 цена радиодетали
    MMBT5087     Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MMBT5087       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MMBT5087     ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MMBT5087     ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
XTR111AIDGQR   Texas Instruments 51 415.97 
XTR111AIDGQR   TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
XTR111AIDGQR     284 106.61 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход