SPP70N10L

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SPP70N10L		235.48

Версия для печати

Технические характеристики SPP70N10L

Корпус	P-TO220-3
Корпус (размер)	TO-220-3
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	250W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4540pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	240nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 2mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	70A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 50A, 10V

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SPI70N10L (Полевые МОП транзисторы)

SIPMOS Power-Transistor

Также в этом файле: SPP70N10L

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SPP70N10L datasheet
515.54Kb
8стр.