|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FGA25N120ANTD |
|
IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGA25N120ANTD |
|
IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FGA25N120ANTD |
|
IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А
|
|
|
480.00
|
|
|
|
FGA25N120ANTD |
|
IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FGA25N120ANTD |
|
IGBT транзистор 312Вт, 1,2кВ, 50А
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
|
9 642
|
4.96
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
DC COMPONENTS
|
16 729
|
9.12
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
MIC
|
7 051
|
5.66
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
MASTERCHIP
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
YJ
|
21 709
|
12.71
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
GALAXY ME
|
53
|
6.46
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
SUNTAN
|
6 088
|
9.21
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
YANGJIE
|
19 400
|
7.80
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
HER308 |
|
Диод выпрямительныйный из серии высокоэффективных диодов (High Efficiency ...
|
1
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ONS
|
8
|
28.40
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
|
1
|
196.56
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
STGFL6NC60D |
|
Гипербыстрый igbt-транзистор на 600 в, 6 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGFL6NC60D |
|
Гипербыстрый igbt-транзистор на 600 в, 6 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGFL6NC60D |
|
Гипербыстрый igbt-транзистор на 600 в, 6 а
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STGFL6NC60D |
|
Гипербыстрый igbt-транзистор на 600 в, 6 а
|
|
|
|
|
|
|
STGW40NC60WD |
|
Ультрабыстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGW40NC60WD |
|
Ультрабыстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGW40NC60WD |
|
Ультрабыстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STGW40NC60WD |
|
Ультрабыстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STGW40NC60WD |
|
Ультрабыстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
|
|
|
|
|
|
STGW40NC60WD |
|
Ультрабыстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
STMICROELECTR
|
|
|
|