STGP10NB60SD
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 10 а семейства powermesh™
Версия для печати
Технические характеристики STGP10NB60SD
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Серия | PowerMESH™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 10A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20A |
| Power - Max | 31.5W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
STGP10NB60SD (IGBT)
N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 10 А семейства PowerMESH™
Производитель:
STMicroelectronics
|
