|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IDD06E60 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IDD06E60 |
|
|
|
|
66.80
|
|
|
|
IDD06E60 |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IDD06E60 |
|
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
179
|
115.01
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
|
|
360.00
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
STTH12R06G-TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
378
|
161.03
|
|
|
|
STTH12R06G-TR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH12R06G-TR |
|
|
|
1
|
226.80
|
|
|
|
STTH2003CG |
|
Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STTH2003CG |
|
Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P
|
|
|
192.00
|
|
|
|
STTH2003CG |
|
Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH2003CG |
|
Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|