HGTP5N120BND

Версия для печати

Технические характеристики HGTP5N120BND

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 5A
Current - Collector (Ic) (Max)	21A
Power - Max	167W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ECAP 100/400V 2225 105C HU5	Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 400 В	HIT-AIC
HUF75332P3	N-channel ultrafet power mosfets	FAIR
HUF75332P3	N-channel ultrafet power mosfets	FAIRCHILD
HUF75332P3	N-channel ultrafet power mosfets	FAIRCHILD
HUF75332P3	N-channel ultrafet power mosfets
HUF75332P3	N-channel ultrafet power mosfets	Fairchild Semiconductor
HUF75332P3	N-channel ultrafet power mosfets	ONS
HUF75332P3	N-channel ultrafet power mosfets	ON SEMICONDUCTOR	4	100.76
IRFP260N	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	295.80
IRFP260N	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W		12	266.40
IRFP260N	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	МЕКСИКА
IRFP260N	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP260N	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INFINEON
UC3845AN		TEXAS INSTRUMENTS
UC3845AN		STMicroelectronics
UC3845AN				479.40
UC3845AN		ONS
UC3845AN		TEXAS
UF308GT/R		PANJIT
UF308GT/R		PANJIT	2 000