STGB10NB37LZ


IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый

Купить STGB10NB37LZ по цене 340.00 руб.  (без НДС 20%)
STGB10NB37LZ Марка транзистора: STGB10NB37LZ (СТГБ10НБ37ЛЗ...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
STGB10NB37LZ 4 340.00 
STGB10NB37LZT4 3 678.00 
STGB10NB37LZT4 (ST MICROELECTRONICS) 192 649.44 

Марка транзистора: STGB10NB37LZ (СТГБ10НБ37ЛЗ )
Тип управляющего канала IGBT транзистора: N-Channel
Предельная постоянная рассеиваемая мощность (Pc) транзистора: 125W
Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce) IGBT транзистора: 425V
Коллектор-эмиттер, напряжение насыщения (Ucesat): 1.3V
Предельное напряжение затвор-эмиттер (Ueg): 16V
Предельный ток коллектора транзистора (Ic): 20A
Предельная температура (Tj): 150 C
Время нарастания: 520 nS
Выходная емкость (Cс), Пф: 1700pF

STGB10NB37LZ   D²PAK 
STGB10NB37LZT4  D²PAK
STGP10NB37LZ   TO-220 
Версия для печати

Технические характеристики STGB10NB37LZ

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPowerMESH™
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)440V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 4.5V, 10A
Current - Collector (Ic) (Max)20A
Power - Max125W
Тип входаLogic
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STGB10NB37LZ (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))

IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

STGB10NB37LZ datasheet
747,03kB
15стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
IRGS14C40L IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRGS14C40L IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK     Заказ радиодеталей 168.00 
IRGS14C40L IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   NEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRONICS 266 43.35 
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА     32 14.76 
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRONICS SEMI 5 цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   HGSEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
TLE4729G Драйвер управления двигателем     Заказ радиодеталей 373.84 
TLE4729G Драйвер управления двигателем   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
TLE4729G Драйвер управления двигателем   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
TLE4729G Драйвер управления двигателем   Infineon Technologies Заказ радиодеталей цена радиодетали
TLE4729G Драйвер управления двигателем   INFINEON TECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
W27C512-45Z Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс   WINBOND 416 482.16 
W27C512-45Z Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс   WIN Заказ радиодеталей цена радиодетали
W27C512-45Z Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс   Winbond Electronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
W27C512-45Z Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс   ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
W27C512-45Z Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
W27C512-45Z Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс   Заказ радиодеталей цена радиодетали
W27C512-45Z Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс   NO NAME Заказ радиодеталей цена радиодетали
W27C512-45Z Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс     1 302.40 
    ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЗЕЛ. 0.5М       Заказ радиодеталей 33.84 
    ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЗЕЛ. 0.5М     ПОЛЬША Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЗЕЛ. 0.5М     ГЕРМАНИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход