IXBT6N170
|
IC TRANS BIPO 1700V 12A TO-268
|
Версия для печати
Технические характеристики IXBT6N170
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | BIMOSFET™ |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 6A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12A |
| Power - Max | 75W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-268 |
| Корпус | TO-268 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | FDD5612
60v n-channel powertrench mosfet
Купить |
 | IXTP2R4N120P
Polar power mosfet
Купить |
 | MCP6023
Одноканальные операционные усилители с полосой пропускания 10мгц
Купить |
