Версия для печати
Технические характеристики SGW25N120

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.6V @ 15V, 25A
Current - Collector (Ic) (Max)	46A
Power - Max	313W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	PG-TO247-3

SGW25N120 (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Fast IGBT In Npt-technology Производитель: Infineon Technologies AG //www.infineon.com SGW25N120 datasheet 384.78Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		L7809CV			ST MICROELECTRONICS	9 064	56.39
		L7809CV				463	42.24
		L7809CV			STMicroelectronics
		L7809CV			МАРОККО
		L7809CV			ST MICROELECTR
		L7809CV			КИТАЙ
		L7809CV			STMICROELECTR
		L7809CV			UMW	1 520	14.76
		L7809CV			YOUTAI	3 423	11.85
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	ST MICROELECTRONICS	26	270.00
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс		2 364	329.12
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	STMicroelectronics
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	ST1
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	ST MICROELECTRO
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	STMICROELECTR
		STTH6003CW		Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс	1
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	ST MICROELECTRONICS
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	UTC
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	ОРБИТА	8	79.05
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А		16 076	25.07
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	TSL
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	САРАНСК
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	КИТАЙ
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	MEV
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	ST1
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	STMICROELECTR
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	SEMICONDUCTORS
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	1
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	311	48.45
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		518	31.50
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный		646	70.00
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	280	137.76
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	4 350	79.60
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	УЛЬЯНОВСК
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"