FGB30N6S2


Купить FGB30N6S2 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FGB30N6S2
Версия для печати

Технические характеристики FGB30N6S2

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
Current - Collector (Ic) (Max)45A
Power - Max167W
Тип входаStandard
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусTO-263AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FGP30N6S2 (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT

Также в этом файле: FGB30N6S2T

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FGB30N6S2 datasheet
174.26Kb
8стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход