Версия для печати
Технические характеристики FGA25N120ANDTU
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
IGBT Type | NPT |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A |
Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Power - Max | 310W |
Тип входа | Standard |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-3P-3, SC-65-3 |
Корпус | TO-3P |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SA854STPQ |
|
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2SC4236 |
|
Биполярный транзистор NPN 1200V, 6A, 100W, 8MHz, Tf<300nS
|
|
|
117.92
|
|
|
|
2SC4236 |
|
Биполярный транзистор NPN 1200V, 6A, 100W, 8MHz, Tf<300nS
|
SHIN
|
|
|
|
|
|
2SC4236 |
|
Биполярный транзистор NPN 1200V, 6A, 100W, 8MHz, Tf<300nS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SC5354 |
|
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
NEC2561 (PS2561-1) |
|
|
NEC
|
|
|
|
|
|
МЛТ-1-1,5 ОМ-5% |
|
|
|
|
|
|