MRF8P20160HSR5
|
DISCRETE RF FET |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Частота | 1.92GHz |
| Frequency | 1.92GHz |
| Gain | 16.5dB |
| Voltage - Test | 28V |
| Current - Test | 550mA |
| Power - Output | 37W |
| Номинальное напряжение | 65V |
| Корпус (размер) | NI-780HS-4 |
| Корпус | NI-780HS-4 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
