|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
EIC
|
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
800
|
13.26
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
|
2 416
|
8.80
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
220
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4756A |
|
Стабилитрон выводной PV=1W, Vz=47V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BCR8PM |
|
|
MITSUBISHI
|
|
|
|
|
|
BCR8PM |
|
|
MIT
|
|
|
|
|
|
BCR8PM |
|
|
|
|
|
|
|
|
BTB16-800BWRG |
|
Симистор 16A 800V 50mA
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BTB16-800BWRG |
|
Симистор 16A 800V 50mA
|
|
|
139.20
|
|
|
|
BTB16-800BWRG |
|
Симистор 16A 800V 50mA
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
|
1 832
|
19.96
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
MIC
|
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
YJ
|
14 040
|
23.09
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
---
|
|
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
HOTTECH
|
5 272
|
21.31
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
KLS
|
8
|
35.02
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
LGE
|
240
|
19.68
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
SUNTAN
|
78
|
32.28
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
YANGJIE
|
2 240
|
24.95
|
|
|
|
MBR10100CT |
|
Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шоттки
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR10200CT |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR10200CT |
|
|
|
7 712
|
20.57
|
|
|
|
MBR10200CT |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|