|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
|
|
25.88
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
MUR
|
4 432
|
6.96
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
2.01
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
794
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
0.00
|
|
|
|
|
|
RC0603JR-0710RL |
|
|
YAGEO
|
418 833
|
0.65
>1000 шт. 0.13
|
|
|
|
RC0603JR-0710RL |
|
|
YAGEO
|
21 817
|
|
|
|
|
RC0603JR-0710RL |
|
|
PHYCOMP
|
80 000
|
|
|
|
|
RC0603JR-0710RL |
|
|
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-070RL |
|
|
YAGEO
|
1 802 047
|
0.75
>1000 шт. 0.15
|
|
|
|
RC0805JR-070RL |
|
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-070RL |
|
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-070RL |
|
|
YAGEO
|
7 500
|
|
|
|
|
RC0805JR-070RL |
|
|
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-07100RL |
|
|
YAGEO
|
1 026 744
|
0.78
>500 шт. 0.26
|
|
|
|
RC1206JR-07100RL |
|
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-07100RL |
|
|
PHYCOMP
|
13 912
|
|
|
|
|
RC1206JR-07100RL |
|
|
YAGEO
|
40 000
|
|
|
|
|
RC1206JR-07100RL |
|
|
|
|
|
|