LQH32CN2R2M23L

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
LQH32CN2R2M23L (MURATA)	1 440	8.28
LQH32CN2R2M23L (MUR)	4 683	6.34

Версия для печати

Технические характеристики LQH32CN2R2M23L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	LQH32C_23
Inductance	2.2µH
Current	600mA
Тип	Ferrite Core
Допустимые отклонения емкости	±20%
Tolerance	±20%
Shielding	Unshielded
DC Resistance (DCR)	169 mOhm Max
Self Resonant Freq	64MHz
Корпус (размер)	1210 (3225 Metric)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Frequency - Test	1MHz
Material - Core	Ferrite
Сфера применения	Power Supplies

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0603-LQW18A_0010NHJ		MURATA
GRM319R71H103KA01D	Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В	MUR	19 140	1.17
GRM319R71H103KA01D	Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В	Murata Electronics North America
GRM319R71H103KA01D	Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В	MURATA
GRM319R71H103KA01D	Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В
GRM319R71H103KA01D	Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В	MURATA	3 592	3.19
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIR
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	HARRIS
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERSIL
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	MOTOROLA
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	VISHAY
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIRCHILD
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIRCHILD
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	HARRIS
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERSIL
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	MOTOROLA	6
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	Vishay/Siliconix
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	VISHAY/IR
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	SILICONIX
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	SAMSUNG
IRF610	Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W		4	114.66
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MURATA	11 724	10.09
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	CHINA
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)			25.88
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MUR	61 710	6.10
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	Murata Electronics North America
LQH32CN1R0M23L	Катушки индуктивности SMD	CHINA
LQH32CN1R0M23L	Катушки индуктивности SMD	MURATA	1 072	11.62
LQH32CN1R0M23L	Катушки индуктивности SMD	MUR	8 234	7.44
LQH32CN1R0M23L	Катушки индуктивности SMD			22.40
LQH32CN1R0M23L	Катушки индуктивности SMD	Murata Electronics North America