|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
|
1
|
180.00
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL
|
7
|
17.91
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
1
|
|
|
|
|
|
REF193GSZ |
|
Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
1 640
|
360.00
|
|
|
|
REF193GSZ |
|
Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF193GSZ |
|
Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF193GSZ |
|
Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF193GSZ |
|
Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C
|
США
|
|
|
|
|
|
REF193GSZ |
|
Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
REF193GSZ |
|
Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C
|
|
|
|
|
|
|
REF194GSZ |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF194GSZ |
|
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF194GSZ |
|
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF194GSZ |
|
|
США
|
|
|
|
|
|
REF194GSZ |
|
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
REF194GSZ |
|
|
|
1
|
482.24
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
США
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
|
|
302.80
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
|
|
302.80
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
633
|
252.96
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
|
|
327.16
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|