M41T56M6E

Часы реального времени+статич. ОЗУ (64 х 8bit, I2C-интерфейс, Vcc=4.5-5.5V, -40 to +85C), Pb-free, аналог DS1307ZN.

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
M41T56M6E (ST MICROELECTRONICS)	51	75.60
M41T56M6E	1	329.30
M41T56M6E (4-7 НЕДЕЛЬ)	542	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики M41T56M6E

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Тип	Clock/Calendar
Возможности	Leap Year, NVSRAM
Объем памяти	56B
Формат времени	HH:MM:SS (24 hr)
Формат даты	YY-MM-DD-dd
Интерфейс подключения	I²C
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Напряжение питания, батареи	2.5 V ~ 3.5 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
NE-2G 4X10
NE-2G 4X10
NE-2W 4X10
NE-2Y 4X10
NE-2Y 4X10
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	MICRO SEMICONDUCTOR
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	SENSITRON
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	SMK
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	DC COMPONENTS
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	GENERAL SEMICONDUCTOR
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс		3.40
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	GENERAL SEMICONDUCTOR
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	Fairchild Semiconductor
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	FAIRCHILD
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	КИТАЙ
UF4003	Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс	YJ
КП303И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...		38.64
КП303И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...	ФОТОН
КП303И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...	АЛЕКСАНДРОВ
КП303И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...	ИНТЕГРАЛ