DS1678

Версия для печати

Технические характеристики DS1678

Корпус	8-PDIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания, батареи	2.6 V ~ 3.5 V
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Интерфейс подключения	I²C
Формат даты	YY-MM-DD-dd
Формат времени	HH:MM:SS (12/24 hr)
Объем памяти	32B
Возможности	Alarm, Leap Year, NVSRAM, Y2K
Тип	Time Event Recorder
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
107M010V 100UF 10V 20% B
476K010V 47UF 10V 10% B
859 ОДНА БАТАРЕЯ CR2032
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		45 120	3.86
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	79 673	3.40
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	26 232	5.69
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	36 575	3.25
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	9 600	2.95
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	24 908	9.89
REF191ESZ		ANALOG DEVICES
REF191ESZ				539.80
REF191ESZ		ANALOG
REF191ESZ		ANALOG DEVICES	1
REF191ESZ		Analog Devices Inc
REF191ESZ		США
REF191ESZ		СОЕДИНЕННЫЕ ШТА