Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | PIC® 16F |
Процессор | PIC |
Размер ядра | 8-Bit |
Скорость | 20MHz |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
Число вводов/выводов | 18 |
Размер программируемой памяти | 7KB (4K x 14) |
Тип программируемой памяти | FLASH |
EEPROM Size | 256 x 8 |
Размер памяти | 256 x 8 |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 5.5 V |
Преобразователи данных | A/D 12x10b |
Тип осцилятора | Internal |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Корпус (размер) | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
6 703
|
12.05
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
|
2 608
|
3.41
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YJ
|
154 720
|
4.65
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
MIC
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
КИТАЙ
|
52
|
22.68
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KLS
|
4 437
|
11.37
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KOME
|
729
|
4.94
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
LGE
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
HOTTECH
|
147 402
|
3.81
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE
|
20 576
|
5.12
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SEP
|
8
|
2.64
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ASEMI
|
6
|
6.00
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSCJ
|
280
|
8.76
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KUU
|
47 925
|
1.90
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
RUME
|
26 400
|
2.43
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
TRR
|
38 400
|
2.43
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSMICRO
|
51 072
|
3.48
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
8
|
7.41
|
|
|
|
IRLML6246TRPBF |
|
|
International Rectifier
|
|
|
|
|
|
IRLML6246TRPBF |
|
|
INFINEON
|
61 980
|
13.87
|
|
|
|
IRLML6246TRPBF |
|
|
|
4 800
|
11.03
|
|
|
|
IRLML6246TRPBF |
|
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6246TRPBF |
|
|
TRR
|
1 680
|
4.13
|
|
|
|
IRLML6346TRPBF |
|
Транзистор полевой, N-канальный, 30В, 3,4А, 1,3Вт
|
International Rectifier
|
|
|
|
|
|
IRLML6346TRPBF |
|
Транзистор полевой, N-канальный, 30В, 3,4А, 1,3Вт
|
INFINEON
|
32 771
|
14.81
|
|
|
|
IRLML6346TRPBF |
|
Транзистор полевой, N-канальный, 30В, 3,4А, 1,3Вт
|
|
4 800
|
10.26
|
|
|
|
IRLML6346TRPBF |
|
Транзистор полевой, N-канальный, 30В, 3,4А, 1,3Вт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6346TRPBF |
|
Транзистор полевой, N-канальный, 30В, 3,4А, 1,3Вт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6346TRPBF |
|
Транзистор полевой, N-канальный, 30В, 3,4А, 1,3Вт
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6346TRPBF |
|
Транзистор полевой, N-канальный, 30В, 3,4А, 1,3Вт
|
TRR
|
4 240
|
6.20
|
|
|
|
PIC16F690-I/P |
|
ИМС МК 7 KB Std Flash,
|
|
|
468.00
|
|
|
|
PIC16F690-I/P |
|
ИМС МК 7 KB Std Flash,
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F690-I/P |
|
ИМС МК 7 KB Std Flash,
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F690-I/P |
|
ИМС МК 7 KB Std Flash,
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F690-I/P |
|
ИМС МК 7 KB Std Flash,
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
323
|
|
|
|
|
TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
PWR
|
|
|
|
|
|
TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
|
|
185.88
|
|
|
|
TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TNY268GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
376
|
|
|