| Корпус (размер) | 64-TQFP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 16x10b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 3.6 V |
| Размер памяти | 16K x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 256KB (85.5K x 24) |
| Число вводов/выводов | 53 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, LVD, POR, PWM, WDT |
| Подключения | I²C, PMP, SPI, UART/USART |
| Скорость | 32MHz |
| Размер ядра | 16-Bit |
| Процессор | PIC |
| Серия | PIC® 24F |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
HEF4001BT |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
HEF4001BT |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
HEF4001BT |
|
|
|
1 664
|
15.84
|
|
|
|
|
HEF4001BT |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
HEF4001BT |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
HEF4001BT |
|
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
HEF4001BT |
|
|
NEX-NXP
|
|
|
|
 |
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
|
23 164
|
1.43
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WTE
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MIC
|
11 702
|
2.30
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
SUNTAN
|
4 212
|
2.92
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YJ
|
24
|
2.95
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
CTK
|
236
|
4.52
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YIXING
|
8 000
|
1.73
|
|
|
|
|
KITSQ001 |
|
|
AVX Corporation
|
|
|
|
|
|
|
MC34262DG |
|
ИМС 36V 0,5A 0,8W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC34262DG |
|
ИМС 36V 0,5A 0,8W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MC34262DG |
|
ИМС 36V 0,5A 0,8W
|
|
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
PWR
|
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
PI
|
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
|
10 902
|
88.00
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
POWER INTEGRATIONS
|
32
|
|
|
Версия для печати
