Корпус (размер) | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Тип осцилятора | Internal |
Преобразователи данных | A/D 8x10b |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 4.2 V ~ 5.5 V |
Размер памяти | 1.5K x 8 |
Тип программируемой памяти | FLASH |
EEPROM Size | 256 x 8 |
Размер программируемой памяти | 32KB (16K x 16) |
Число вводов/выводов | 25 |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, HLVD, POR, PWM, WDT |
Скорость | 40MHz |
Подключения | CAN, I²C, SPI, UART/USART |
Размер ядра | 8-Bit |
Процессор | PIC |
Серия | PIC® 18F |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD830ANZ |
|
Видео ОУ, Iвых=+ 50мА, 360В/мкс, 85МГц, DIP8
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD830ANZ |
|
Видео ОУ, Iвых=+ 50мА, 360В/мкс, 85МГц, DIP8
|
|
|
1 180.00
|
|
|
|
AD830ANZ |
|
Видео ОУ, Iвых=+ 50мА, 360В/мкс, 85МГц, DIP8
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD830ANZ |
|
Видео ОУ, Iвых=+ 50мА, 360В/мкс, 85МГц, DIP8
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD830ANZ |
|
Видео ОУ, Iвых=+ 50мА, 360В/мкс, 85МГц, DIP8
|
США
|
|
|
|
|
|
AD830ANZ |
|
Видео ОУ, Iвых=+ 50мА, 360В/мкс, 85МГц, DIP8
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
AD830ANZ |
|
Видео ОУ, Iвых=+ 50мА, 360В/мкс, 85МГц, DIP8
|
AD1
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
|
40
|
20.80
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
5
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
OTHER
|
266
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
PIC18F258-I/SO |
|
16Kx16 Flash 23I/O CAN 40MHz
|
|
|
845.84
|
|
|
|
PIC18F258-I/SO |
|
16Kx16 Flash 23I/O CAN 40MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC18F258-I/SO |
|
16Kx16 Flash 23I/O CAN 40MHz
|
MICRO CHIP
|
15
|
|
|
|
|
PIC18F258-I/SO |
|
16Kx16 Flash 23I/O CAN 40MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
R1206-3,9 КОМ-5% |
|
|
|
3 355
|
1.76
|
|
|
|
R1206-36 КОМ-5% |
|
|
|
2 768
|
1.76
|
|