| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | LPC900 |
| Процессор | 8051 |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Скорость | 12MHz |
| Подключения | I²C, SPI, UART/USART |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, LED, POR, PWM, WDT |
| Число вводов/выводов | 26 |
| Размер программируемой памяти | 8KB (8K x 8) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| EEPROM Size | 512 x 8 |
| Размер памяти | 768 x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2.4 V ~ 3.6 V |
| Преобразователи данных | A/D 8x8b; D/A 2x8b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
7-0085 / STEREO 6.3 MM |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
|
56 400
|
1.31
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
INFINEON
|
68
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
NXP
|
19 200
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
|
56 400
|
1.31
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
YJ
|
8 845
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
HOTTECH
|
7 040
|
2.40
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
JSCJ
|
23 659
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
|
76 880
|
1.24
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
800
|
10.20
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DC COMPONENTS
|
27 940
|
2.71
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
UTC
|
40
|
8.26
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DIOTEC
|
39 605
|
2.32
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 497
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
HOTTECH
|
155 497
|
1.80
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YJ
|
344 011
|
1.97
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
405
|
2.14
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ZH
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
TRR
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SUNTAN
|
1 687 102
|
1.06
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
МГТФ 0,2 |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
