STM32F207VGT6
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | STM32 |
| Процессор | ARM® Cortex-M3™ |
| Размер ядра | 32-Bit |
| Скорость | 120MHz |
| Подключения | CAN, Ethernet, I²C, IrDA, LIN, MMC, SPI, UART/USART, USB OTG |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, LCD, POR, PWM, WDT |
| Число вводов/выводов | 82 |
| Размер программируемой памяти | 1MB (1M x 8) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер памяти | 132K x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Преобразователи данных | A/D 16x12b; D/A 2x12b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 100-LQFP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
PESD12VS2UT,215 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
PESD12VS2UT,215 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
PESD12VS2UT,215 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
|
PESD12VS2UT,215 |
|
|
|
|||
|
|
|
PESD12VS2UT,215 |
|
NEX-NXP | 1 600 | 7.87 | ||
| PRTR5V0U2X.215 | NXP |
|
|
|||||
| PRTR5V0U2X.215 | NEX-NXP | 128 | 8.86 | |||||
| PRTR5V0U2X.215 |
|
|
||||||
| PRTR5V0U2X.215 | NXP/NEXPERIA | 1 254 | 13.19 | |||||
| SS050M2R20B1F-0407 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2.2 мкФ 50 В | YAGEO |
|
|
|||
| SS050M2R20B1F-0407 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2.2 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SS050M2R20B1F-0407 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2.2 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| STM32F4DIS-BB | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STM32F4DIS-BB |
|
|
||||||
 |
|
STM32F4DISCOVERY |
|
Отладочная плата | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STM32F4DISCOVERY |
|
Отладочная плата |
|
3 390.40 |
