Корпус (размер) | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Тип осцилятора | Internal |
Преобразователи данных | A/D 11x10b |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.8 V ~ 5.5 V |
Размер памяти | 512 x 8 |
EEPROM Size | 256 x 8 |
Тип программируемой памяти | FLASH |
Размер программируемой памяти | 8KB (4K x 16) |
Число вводов/выводов | 14 |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
Подключения | I²C, SPI, UART/USART, USB |
Скорость | 48MHz |
Размер ядра | 8-Bit |
Процессор | PIC |
Серия | PIC® XLP™ 18F |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BT136-600D |
|
Симистор
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT136-600D |
|
Симистор
|
PHILIPS
|
80
|
56.10
|
|
|
|
BT136-600D |
|
Симистор
|
|
640
|
20.16
|
|
|
|
BT136-600D |
|
Симистор
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT136-600D |
|
Симистор
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BT136-600D |
|
Симистор
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BT136-600D |
|
Симистор
|
NEX-NXP
|
4 720
|
49.20
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
MOTOROLA
|
6
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRF610 |
|
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
|
4
|
109.20
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
ВЗПП
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
|
1 260
|
28.93
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INFINEON
|
12
|
51.30
|
|
|
|
IRF9Z14 |
|
Транзистор полевой P-канальный -60В -6.7А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF9Z14 |
|
Транзистор полевой P-канальный -60В -6.7А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9Z14 |
|
Транзистор полевой P-канальный -60В -6.7А
|
|
984
|
105.60
|
|
|
|
IRF9Z14 |
|
Транзистор полевой P-канальный -60В -6.7А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF9Z14 |
|
Транзистор полевой P-канальный -60В -6.7А
|
США
|
|
|
|
|
|
IRF9Z14 |
|
Транзистор полевой P-канальный -60В -6.7А
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
71.40
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
|
6
|
123.60
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
1
|
|
|
|