ADG529AKN

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
ADG529AKN		575.00

Версия для печати

Технические характеристики ADG529AKN

Корпус	18-PDIP
Корпус (размер)	18-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Ток выходной	600nA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	±10.8 V ~ 16.5 V
Напряжение питания источника	Dual Supply
Сопротивление (On-State)	300 Ohm
Каналы	2 x 4:1
Функция	Multiplexer
Lead Free Status / RoHS Status	RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
4049B		FAI/QTC
4049B				34.00
ADM233LJN	Интерфейс RS-232 120кБит/с С=1мкФ -40..+85C	ANALOG DEVICES
ADM233LJN	Интерфейс RS-232 120кБит/с С=1мкФ -40..+85C			522.08
DS1225AB-150	Энергонезависимая статич. память (NVSRAM) (8Kx8bit, 150ns, Vcc=+5V(5%), 0 to +70C)	MAXIM
DS1225AB-150	Энергонезависимая статич. память (NVSRAM) (8Kx8bit, 150ns, Vcc=+5V(5%), 0 to +70C)	DALLAS
DS1225AB-150	Энергонезависимая статич. память (NVSRAM) (8Kx8bit, 150ns, Vcc=+5V(5%), 0 to +70C)			507.20
DS1225AB-150	Энергонезависимая статич. память (NVSRAM) (8Kx8bit, 150ns, Vcc=+5V(5%), 0 to +70C)	DALLAS
DS1225AB-150	Энергонезависимая статич. память (NVSRAM) (8Kx8bit, 150ns, Vcc=+5V(5%), 0 to +70C)	Maxim Integrated Products
LM2575D2T-5.0		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2575D2T-5.0				170.16
NE556N		NEC
NE556N		ST MICROELECTRONICS	266	48.45
NE556N				33.68
NE556N		ST MICROELECTRONICS SEMI
NE556N		STMicroelectronics
NE556N		Texas Instruments
NE556N		TEXAS INSTRUMENTS	16
NE556N		КИТАЙ
NE556N		ST MICROELECTR
NE556N		TEXAS
NE556N		ST1
NE556N		ST MICROELECTRO
NE556N		TEXAS INSTRUMEN