|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD7820LR |
|
Микросхема АЦП
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD7820LR |
|
Микросхема АЦП
|
|
|
632.00
|
|
|
|
AD7820LR |
|
Микросхема АЦП
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 873
|
2.00
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
555
|
1.76
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
15 816
|
2.12
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 324
|
1.44
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
24
|
10.82
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
39 442
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
35 670
|
1.03
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
36 000
|
1.37
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
517 911
|
1.97
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
99 564
|
1.50
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
42 528
|
1.46
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
NXP
|
292
|
6.00
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
|
24 006
|
4.01
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
-
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
ГОНКОНГ
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
КИТАЙ
|
1 600
|
5.00
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
HOTTECH
|
9 960
|
5.76
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
DIOTEC
|
4 808
|
5.37
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
YJ
|
177 051
|
5.92
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
YIXING
|
8 000
|
2.80
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
JSCJ
|
25 039
|
4.26
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
1
|
|
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
KOME
|
1 180
|
5.45
|
|
|
|
BCX56-16 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz
|
XSEMI
|
10 944
|
4.99
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
|
16
|
94.72
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM2940T-5.0 |
|
СН с низк. паден напр. (Uвых.=5V, Io=1A, t=-40.+125C)
|
HGSEMI
|
2 302
|
32.45
|
|
|
|
RC0805FR-073K3L |
|
|
YAGEO
|
479 148
|
0.85
>1000 шт. 0.17
|
|
|
|
RC0805FR-073K3L |
|
|
|
|
2.96
|
|
|
|
RC0805FR-073K3L |
|
|
YAGEO
|
162 962
|
|
|