|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1206-16КJ-0.25 |
|
|
FAITHFUL LINK
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
ЦВТР
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
|
26 113
|
1.43
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
SEMTECH
|
12 696
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
PANJIT
|
2 676
|
1.83
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C4V7 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=4.7V, Izt-5mA
|
SUNTAN
|
5 816
|
1.82
|
|
|
|
MMBTA06LT1G |
|
Транзистор
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA06LT1G |
|
Транзистор
|
ONS
|
2 240
|
4.92
|
|
|
|
MMBTA06LT1G |
|
Транзистор
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 988
|
|
|
|
|
MMBTA06LT1G |
|
Транзистор
|
|
16
|
|
|
|
|
MMBTA06LT1G |
|
Транзистор
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA06LT1G |
|
Транзистор
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
39.48
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
|
57
|
86.40
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST1
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
607
|
28.00
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
540
|
35.70
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
1 042
|
32.00
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
20
|
36.40
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|