Инструментальный усилитель, Uпит ±18В; Ку=1...1000 - задается резистором;Полоса Ку=10 562кГц; КОС 80dB; Напряжение шумов 1-10 Гц 0.25µВ; Темп. диапазон -40 to +85;Ток потребления (макс.) 1mA; Uсмещ. 60µВ; корпус SOIC-8. |
Корпус | 8-SOIC |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 4.6 V ~ 36 V, ±2.3 V ~ 18 V |
Ток выходной / канал | 18mA |
Ток выходной | 900µA |
Напряжение входного смещения | 60µV |
Ток - входного смещения | 500pA |
Полоса пропускания -3Дб | 825kHz |
Скорость нарастания выходного напряжения | 2 V/µs |
Число каналов | 1 |
Тип усилителя | Instrumentation |
Lead Free Status / RoHS Status | RoHS non-compliant |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7343 | Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF7343 | Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | 74.40 | ||||||
IRF7343 | Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF7343 | Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | СЕВЕРНАЯ КОРЕЯ | ||||||
IRF7343 | Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | КОРЕЯ, НАРОДНО- | ||||||
IRF7343 | Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | КОРЕЯ РЕСПУБЛИК | ||||||
IRF7343 | Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W | INFINEON | ||||||
TLP621-4GB[F] | Оптрон 4xCh 5kV >50% | 164.80 | ||||||
TLP621-4GB[F] | Оптрон 4xCh 5kV >50% | TOSHIBA | ||||||
TLP621-4GB[F] | Оптрон 4xCh 5kV >50% | TOS |
|