|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FAN7601BG |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FAN7601BG |
|
|
|
|
|
|
|
|
FAN7601BG |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
|
|
120.00
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FQPF8N60C |
|
MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
|
|
176.24
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
14
|
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
L200CV |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 2,8-36V 2A steh
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
OP07DP |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
964
|
47.23
|
|
|
|
OP07DP |
|
|
|
|
44.00
|
|
|
|
OP07DP |
|
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
OP07DP |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
OP07DP |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 238
|
6.12
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
480
|
35.70
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 765
|
28.00
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|