|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
1 156
|
2.60
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
12.35
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
2 970
|
3.36
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
21 663
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
8
|
10.20
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.18
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
|
1 600
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5088 |
|
Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц
|
SAMSUNG
|
696
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
|
|
54.00
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPSA18 |
|
Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2P-75 IT:G TR |
|
|
MICRON
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2P-75 IT:G TR |
|
|
Micron Technology Inc
|
|
|
|
|
|
SA5888 |
|
|
SILAN
|
|
|
|
|
|
SA5888 |
|
|
|
|
|
|