|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
NXP
|
360
|
3.85
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
SEMTECH
|
7 199
|
1.54
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
GALAXY
|
419
|
2.43
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
DI
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
DC COMPONENTS
|
3 832
|
2.61
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
DIOTEC
|
161
|
1.71
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
|
20 056
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
GALAXY ME
|
1 568
|
1.31
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
HOTTECH
|
123 875
|
1.96
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
YJ
|
31 500
|
1.32
|
|
|
|
BZX84C3V6 |
|
Стабилитрон универсальный 3.6В, 0.2Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
4 386
|
12.12
|
|
|
|
ULN2803APG |
|
8xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
TOSHIBA
|
8 800
|
66.12
|
|
|
|
ULN2803APG |
|
8xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
TOS
|
4 609
|
66.57
|
|
|
|
ULN2803APG |
|
8xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
|
4
|
55.50
|
|
|
|
ULN2803APG |
|
8xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
ULN2803APG |
|
8xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
TOSHBA
|
|
|
|
|
|
ULN2803APG |
|
8xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
1
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
207
|
29.44
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
2 105
|
34.12
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
7 892
|
37.80
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|