|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
|
20
|
35.20
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
74HC08N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
1
|
|
|
|
|
|
M24C64-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C 8kx8
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M24C64-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C 8kx8
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M24C64-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C 8kx8
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M24C64-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C 8kx8
|
|
|
|
|
|
|
M24C64-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C 8kx8
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
|
175
|
440.00
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
M27C4001-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (512K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
PC74HC573TTR |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
PC74HC573TTR |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
4
|
52.15
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
|
1 551
|
52.80
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|