Версия для печати
Технические характеристики M95128-WMN6TP

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Формат памяти	EEPROMs - Serial
Тип памяти	EEPROM
Объем памяти	128K (16K x 8)
Скорость	5MHz
Интерфейс подключения	SPI, 3-Wire Serial
Напряжение питания	2.5 V ~ 5.5 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...	ST MICROELECTRONICS	2 540	12.00
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...			41.24
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...	ST MICROELECTRONICS SEMI	2 966
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...	STMicroelectronics
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...	ST MICROELECTRO
		M93C46-WMN6TP		Память EEPROM (1K bit (128x8 или 64x16), Microwire-интерфейс, Vcc=2.5-5.5V, 1M циклов, ...	STMICROELECTR
		M95080-WMN6TP			ST MICROELECTRONICS	2	53.14
		M95080-WMN6TP					35.00
		M95080-WMN6TP			ST MICROELECTRONICS SEMI	298
		M95080-WMN6TP			STMicroelectronics
		M95080-WMN6TP			КИТАЙ
		M95080-WMN6TP			ST MICROELECTRO
		M95080-WMN6TP			STMICROELECTR
		M95160-WMN6TP					44.40
		M95160-WMN6TP			ST MICROELECTRONICS
		M95160-WMN6TP			ST MICROELECTRONICS SEMI	820
		M95160-WMN6TP			STMicroelectronics
		M95320-WDW6TP			ST MICROELECTRONICS
		M95320-WDW6TP			STMicroelectronics
		M95320-WDW6TP			ST MICROELECTRONICS SEMI
		M95320-WDW6TP
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	43.35
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"