M95128-WMN6TP
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | EEPROMs - Serial |
| Тип памяти | EEPROM |
| Объем памяти | 128K (16K x 8) |
| Скорость | 5MHz |
| Интерфейс подключения | SPI, 3-Wire Serial |
| Напряжение питания | 2.5 V ~ 5.5 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
B6S-E3/80 |
|
Vishay/General Semiconductor |
|
|
|||
|
|
B6S-E3/80 |
|
VISHAY |
|
|
|||
|
|
B6S-E3/80 |
|
|
|
||||
|
|
B6S-E3/80 |
|
VISHAY | 770 |
|
|||
 |
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W |
|
275.84 | ||
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W | КИТАЙ |
|
|
|
| M95080-WMN6TP | ST MICROELECTRONICS | 2 | 53.14 | |||||
| M95080-WMN6TP |
|
35.00 | ||||||
| M95080-WMN6TP | ST MICROELECTRONICS SEMI | 298 |
|
|||||
| M95080-WMN6TP | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| M95080-WMN6TP | КИТАЙ |
|
|
|||||
| M95080-WMN6TP | ST MICROELECTRO |
|
|
|||||
| M95080-WMN6TP | STMICROELECTR |
|
|
|||||
| M95160-WMN6TP |
|
44.40 | ||||||
| M95160-WMN6TP | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| M95160-WMN6TP | ST MICROELECTRONICS SEMI | 820 |
|
|||||
| M95160-WMN6TP | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| M95320-WDW6TP | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| M95320-WDW6TP | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| M95320-WDW6TP | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| M95320-WDW6TP |
|
|
