CYD09S18V18-200BBXC
|
IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256LFBGA
|
Версия для печати
Технические характеристики CYD09S18V18-200BBXC
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | RAM |
| Тип памяти | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Объем памяти | 9M (512K x 18) |
| Скорость | 200MHz |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Корпус (размер) | 256-LBGA |
| Корпус | 256-FBGA (17x17) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
