NAND512R3A2DZA6E
|
IC FLASH 512MBIT 63VFBGA |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | FLASH |
| Тип памяти | FLASH - NAND |
| Объем памяти | 512M (64M x 8) |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 63-VFBGA |
| Корпус | 63-VFBGA (9x11) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
7W-48.000MBA-T |
|
TXC CORPORATION |
|
|
||
|
|
|
7W-48.000MBA-T |
|
|
|
|||
| CL10C560JB8NNNC | SAMSUNG | 74 348 |
0.75 >500 шт. 0.25 |
|||||
| CL10C560JB8NNNC | SAMSUNG |
|
|
|||||
| CL10C560JB8NNNC | SAM | 16 480 |
1.23 >500 шт. 0.41 |
|||||
| CL10C560JB8NNNC |
|
|
||||||
| CL10C560JB8NNNC | SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS | 2 206 |
|
|||||
| DS90CR287MTD | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| DS90CR287MTD | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| DS90CR287MTD |
|
|
||||||
| DS90CR287MTD | 4-7 НЕДЕЛЬ | 576 |
|
|||||
 |
|
ICS557GI-08LFT |
|
IDT, Integrated Device Technology Inc |
|
|
||
| RC0402FR-0731K6L | YAGEO | 587 116 |
0.50 >1000 шт. 0.10 |
|||||
| RC0402FR-0731K6L | YAGEO |
|
|
