HYB18T512800BF-3S
|
IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA
|
Версия для печати
Технические характеристики HYB18T512800BF-3S
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | RAM |
| Тип памяти | DDR2 SDRAM |
| Объем памяти | 512M (64M x 8) |
| Скорость | 333MHz |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Рабочая температура | 0°C ~ 95°C |
| Корпус (размер) | 60-TFBGA |
| Корпус | 60-TFBGA (10.5x10) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
