XC17S20PD8I

Версия для печати

Технические характеристики XC17S20PD8I

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Тип программирования	OTP
Объем памяти	200kb
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	8-PDIP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFPE50
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, P=190W, -55 to +150C)
Купить

MF-S200
2.0A предохранитель самовосстанавливающийся SMD
Купить

HSMB-A100-J00J1
Светодиод для поверхностного монтажа
Купить