FSD200
SMPS сх. упpавления, MOSFET 700V/Idp=0.3A, 134kHz
|
|
Версия для печати
| Корпус | 7DIP |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads |
| Рабочая температура | 25°C ~ 100°C |
| Мощность (Ватт) | 7W |
| Напряжение выходное | 700V |
| Напряжение входное | 6 V ~ 10 V |
| Частотный диапозон | 126 ~ 142kHz |
| Изоляция выхода | Isolated |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PIC12F675-E/SN | MICRO CHIP |
|
|
|||||
| PIC12F675-E/SN | MICRO CHIP |
|
|
|||||
| PIC12F675-E/SN | Microchip Technology |
|
|
|||||
| PIC12F675-E/SN |
|
|
||||||
| RT33L012 | TE Connectivity |
|
|
|||||
| RT33L012 | TYCO |
|
|
|||||
| RT33L012 |
|
|
||||||
| RT33L012 | TE |
|
|
|||||
 |
SE115N |
|
SMPS усилитель ошибки, 115V | SANKEN |
|
|
||
|
|
SE115N |
|
SMPS усилитель ошибки, 115V | SK |
|
|
||
|
|
SE115N |
|
SMPS усилитель ошибки, 115V |
|
58.00 | |||
|
|
SE115N |
|
SMPS усилитель ошибки, 115V | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||
 |
 |
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W |
|
552.00 | ||
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON TECH |
|
|
|
 |
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET | SANKEN |
|
|
||
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET | SK |
|
|
||
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET | 3 | 346.50 | |||
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET | КИТАЙ |
|
|
||
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET | 1 |
|
|
