Версия для печати
Технические характеристики ICE3BS02

Корпус	P-DIP-8
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Мощность (Ватт)	900mW
Напряжение выходное	500V
Напряжение входное	8.5 V ~ 22 V
Частотный диапозон	61 ~ 73kHz
Изоляция выхода	Isolated
Серия	CoolSET®F3
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0805-200 5%		ЧИП — резистор (бескорпусный толстопленочный) 200Ом, 5%, 0,125Вт			1.60  >100 шт.   0.80
		2SB817C		PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)	SANYO
		2SB817C		PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)			281.20
		2SB817C		PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)	SAN
		SG6841S		ШИМ-контроллер для импульсного источника питания	SGC
		SG6841S		ШИМ-контроллер для импульсного источника питания			316.00
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...			166.40
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...			166.40
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	Infineon Technologies
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON
		SPA04N60C3		MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON TECH
		W25Q32FVSSIG/REEL			WINBOND

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"