IXDI602SIATR
|
2A 8 SOIC DUAL INVERTING
|
Версия для печати
Технические характеристики IXDI602SIATR
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Конфигурация | Low-Side |
| Тип входа | Inverting |
| Время задержки | 35ns |
| Ток пиковое значение | 2A |
| Число конфигураций | 2 |
| Число выходов | 2 |
| Напряжение питания | 4.5 V ~ 35 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
