VNS1NV04DPTR-E


Купить VNS1NV04DPTR-E ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
VNS1NV04DPTR-E MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC
Версия для печати

Технические характеристики VNS1NV04DPTR-E

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOMNIFET II™
ТипLow Side
Тип входаNon-Inverting
Число выходов2
Сопротивление (On-State)250 mOhm
Ток - выходной (пиковое значение)1.7A
Рабочая температура-40°C ~ 150°C
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
КорпусSO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


VNS1NV04DPTR-E datasheet

RR30014
Коммутируемый ток / напряжение 50mA 24V DC Сопротивление контактов / изоляции ?100 mOm / 1000 MOm 100V DC Количество коммутаций / наработка часов 1000...
179.76 руб Купить
Г4-111
Генератор Г4-111 - источник СВЧ-колебаний с некалиброванным по мощности выходом. Генератор Г4-111 обеспечивают калибровку измерителей мощности, измере...
240000.00 руб Купить
KPA-3010P3C
Фототранзистор SMD, Water Clear, 100mW, -40С +85C
15.90 руб Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход