VNS1NV04DPTR-E
|
MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC
|
Версия для печати
Технические характеристики VNS1NV04DPTR-E
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | OMNIFET II™ |
Тип | Low Side |
Тип входа | Non-Inverting |
Число выходов | 2 |
Сопротивление (On-State) | 250 mOhm |
Ток - выходной (пиковое значение) | 1.7A |
Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | SO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | RR30014 Коммутируемый ток / напряжение 50mA 24V DC Сопротивление контактов / изоляции ?100 mOm / 1000 MOm 100V DC Количество коммутаций / наработка часов 1000... 179.76 руб Купить |
 | Г4-111 Генератор Г4-111 - источник СВЧ-колебаний с некалиброванным по мощности выходом. Генератор Г4-111 обеспечивают калибровку измерителей мощности, измере... 240000.00 руб Купить |
 | KPA-3010P3C Фототранзистор SMD, Water Clear, 100mW, -40С +85C 15.90 руб Купить |