VNN7NV04PTR-E
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
VNN7NV04PTR-E (ST MICROELECTRONICS) |
3 856 |
116.09
|
|
VNN7NV04PTR-E |
752 |
95.81
|
|
MOSFET N-CH 40V SOT223
|
Версия для печати
Технические характеристики VNN7NV04PTR-E
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | OMNIFET II™ |
Тип | Low Side |
Тип входа | Non-Inverting |
Число выходов | 1 |
Сопротивление (On-State) | 60 mOhm |
Ток - выходной (пиковое значение) | 9A |
Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | 2SA970 Биполярный транзистор PNP 120V, 0.1A, 0.3W, 100MHz (Comp. 2SC2240) Купить |
 | IPP60R190C6 600v coolmos™ c6 power transistor Купить |
 | IS64WV6416BLL Быстродействующее асинхронное статическое озу 64кx16 Купить |