VND5160JTR-65-E
|
IC DRVR HISIDE 2CH POWERSSO12 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип | High Side |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Число выходов | 2 |
| Сопротивление (On-State) | 160 mOhm |
| Ток - выходной (пиковое значение) | 5A |
| Напряжение питания | 4.5 V ~ 36 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerSSO-12 |
| Корпус | PowerSSO-12 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | KP-1608SECK СветоРТвЂВР В Р’В Р РЋРІР‚ВРѕР҆РТвЂВля поверхностного Р В Р’В Р РЋР’Вонтажа 1.6С…0.8Р В Р’В Р РЋР’ВРѠРазРСВВер РєРѕСЂРїСѓСЃР° 1.6С…0.8С…1.1Р В Р’В Р РЋР’ВР В Р’В Р РЋР’В. Малое потребленРСвЂВР В Р’Вµ. Р В Р РѓР В РЎвЂВСЂРѕРєРСвЂВР в„– СѓРіРѕР» РѕР±Р·РѕСЂР°. Р В Р’ВВР В Р’В Р СћРІР‚Веален Р В Р’В Р СћРІР‚Вля РїРѕРТвЂВсветкРцРцРСвЂВР Р…Р ТвЂВР В Р’В Р РЋРІР‚ВР С”... 7.19 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВть |
 | IRF9953 ТранзРСвЂВстор полевой P-канальный MOSFET РљСѓРїРСвЂВть |
 | AM1P-0509S DC/DC преобразователь Р В Р’В Р РЋР’Вощностью 1Р’С‚, РІС…РѕР҆4.5:5.5Р В РІР‚в„ў, выхоР҆9Р В РІР‚в„ў/110Р В Р’В Р РЋР’ВР В Р’В Р РЋРІР‚в„ў, Р В Р’В Р РЋРІР‚ВзоляцРСвЂВР РЋР РЏ 1000Р В РІР‚в„ў DC, DIP8(12.7x10.2x6.9Р В Р’В Р РЋР’ВР В Р’В Р РЋР’В), -40:+85°С РљСѓРїРСвЂВть |
